铌酸锂芯片上开发了第一台全集成高功率激光器

美国哈佛大学科学家在最新一期《光学》杂志上撰文称，他们研制出了首个集成在铌酸锂芯片上的集成器，为高功率通信系统，全集成光谱仪，光学遥感，以及量子网络的高效变频等应用铺平了道路。

研究人员解释称，长距离通信网络，数据中心光互连和微波光子系统都依赖激光来产生光载波以用于数据传输但大多数情况下，激光器是独立设备，位于调制器外部，这会使整个系统更昂贵，且稳定性和可扩展性也较差

在最新研究中，哈佛大学约翰·A·保尔森工程与应用科学学院的研究人员与行业合作伙伴携手，在铌酸锂芯片上开发了第一台全集成高功率激光器他们将小型但功能强大的分布式反馈激光器集成在芯片上这些激光器位于蚀刻在铌酸锂芯片内的小井或沟槽中，且与铌酸锂内的50千兆赫兹电光调制器相结合，构建了一个高功率发射器

研究团队强调说，将薄膜铌酸锂器件与高功率激光器相结合，是朝着大规模，低成本，高性能发射阵列和光网络方向迈出的关键一步他们计划继续提高激光器的功率和可扩展性，以使其能应用于更多领域

据介绍，该激光器由南华大学与锐科激光等单位联合研制，目前位于南华大学激光应用联合实验室。这台激光器是目前我国功率最大，全球第二大功率的工业光纤激光器，拥有完全自主产权。

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（编辑：肖鸥）